Name: TPN5900CNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN5900CNHL1QTR-ND
Price: 64.98 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 150 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TPN5900CNH,L1Q
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	TPN5900CNHL1QTR-ND - เทปและม้วน (TR) TPN5900CNHL1QCT-ND - เทปตัดขาย (CT) TPN5900CNHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TPN5900CNH,L1Q
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 150 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TPN5900CNH,L1Q รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	U-MOSVIII-H
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	150 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	9A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	59mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 200µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	600 pF @ 75 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	700mW (Ta), 39W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerVDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	TPN5900