Name: TPW4R50ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW4R50ANHL1QTR-ND
Price: 120.91 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 92A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-DSOP แอดวานซ์

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TPW4R50ANH,L1Q
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	TPW4R50ANHL1QTR-ND - เทปและม้วน (TR) TPW4R50ANHL1QCT-ND - เทปตัดขาย (CT) TPW4R50ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TPW4R50ANH,L1Q
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 92A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-DSOP แอดวานซ์
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TPW4R50ANH,L1Q รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 1mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 58 nC @ 10 V
ชุด U-MOSVIII-H	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 5200 pF @ 50 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 800mW (Ta), 142W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-DSOP แอดวานซ์
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 92A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerVDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน TPW4R50
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 46A, 10V