Name: TRS8E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS8E65H,S1Q-ND
Price: 146.13 THB
Availability: InStock

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TRS8E65H,S1Q
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-TRS8E65H,S1Q-ND
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TRS8E65H,S1Q
คำอธิบาย	DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ไดโอด 650 V 8A ทรูโฮล TO-220-2L
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
เทคโนโลยี	SiC (Silicon Carbide) Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io)	8A
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If	1.35 V @ 8 A
ความเร็ว	เวลาการฟื้นตัวเป็นศูนย์ > 500mA (Io)
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr)	0 ns
กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	90 µA @ 650 V
ความจุไฟฟ้า @ Vr, F	520pF @ 1V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-2
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-220-2L
อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน	175°C

คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

ในสต็อก: 263

ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม

จำนวน

ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB

ท่อ