Name: TW027U65C,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW027U65CRQTR-ND
Price: 1376.61 THB
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

N-ช่องสัญญาณ 650 V 57A (Tc) 156W (Tc) ติดบนพื้นผิว TOLL

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TW027U65C,RQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-TW027U65CRQTR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-TW027U65CRQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-TW027U65CRQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TW027U65C,RQ
คำอธิบาย	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 57A (Tc) 156W (Tc) ติดบนพื้นผิว TOLL
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5V @ 3mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 65 nC @ 18 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) +25V, -10V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2288 pF @ 400 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 156W (Tc)
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	อุณหภูมิในการทำงาน 175°C
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 57A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TOLL
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 18V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerSFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 40mOhm @ 29A, 18V