TK125N60Z1,S1F
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
264-TW083N65CS1F-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
TW083N65C,S1F
คำอธิบาย
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) ทรูโฮล TO-247
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
-
บรรจุภัณฑ์
ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
18V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
113mOhm / 15A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 600µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)
+25V, -10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
873 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
111W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
175°C
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
TO-247
บรรจุภัณฑ์ / เคส
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

ในสต็อก: 112
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ท่อ
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿529.10000฿529.10
30฿327.39433฿9,821.83
120฿293.27192฿35,192.63
แพ็กเกจมาตรฐานผู้ผลิต
หมายเหตุ: เนื่องจากบริการเพิ่มมูลค่าของ DigiKey ประเภทของบรรจุภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงเมื่อซื้อสินค้าในปริมาณที่ต่ำกว่าแพ็คเกจมาตรฐาน