Name: TW083N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083N65CS1F-ND
Price: 580.65 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) ทรูโฮล TO-247

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TW083N65C,S1F
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-TW083N65CS1F-ND
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TW083N65C,S1F
คำอธิบาย	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) ทรูโฮล TO-247
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	30A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	18V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	113mOhm / 15A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5V @ 600µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)	+25V, -10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	873 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	111W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-247
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3