Name: XPH2R106NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND
Price: 100.22 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOP แอดวานซ์ (5x5)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

XPH2R106NC,L1XHQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-XPH2R106NCL1XHQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-XPH2R106NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	XPH2R106NC,L1XHQ
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	32 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOP แอดวานซ์ (5x5)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	XPH2R106NC,L1XHQ รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 104 nC @ 10 V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (สูงสุด) ±20V
ชุด U-MOSVIII-H	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 6900 pF @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 960mW (Ta), 170W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน 175°C
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 110A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOP แอดวานซ์ (5x5)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 55A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerVDFN
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 1mA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน XPH2R106