Name: XPN12006NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN12006NCL1XHQTR-ND
Price: 61.1 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 20A 65W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-TSON แอดวานซ์-WF (3.1x3.1)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

XPN12006NC,L1XHQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-XPN12006NCL1XHQTR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-XPN12006NCL1XHQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-XPN12006NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	XPN12006NC,L1XHQ
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	52 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 20A 65W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-TSON แอดวานซ์-WF (3.1x3.1)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	XPN12006NC,L1XHQ รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1100 pF @ 10 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 65W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 20A	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-TSON แอดวานซ์-WF (3.1x3.1)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerVDFN
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 200µA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน XPN12006