Name: XPW4R10ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPW4R10ANB,L1XHQTR-ND
Price: 105.4 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 70A 170W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-DSOP แอดวานซ์

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

XPW4R10ANB,L1XHQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-XPW4R10ANB,L1XHQTR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-XPW4R10ANB,L1XHQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-XPW4R10ANB,L1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	XPW4R10ANB,L1XHQ
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	52 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 70A 170W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-DSOP แอดวานซ์
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	XPW4R10ANB,L1XHQ รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4970 pF @ 10 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 170W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 70A	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 6V, 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-DSOP แอดวานซ์
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 35A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerVDFN
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.5V @ 1mA