เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
Similar
Similar
Similar
Similar



RS3DHE3_A/H | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | RS3DHE3_A/H-ND - เทปและม้วน (TR) |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | RS3DHE3_A/H |
คำอธิบาย | DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB |
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 10 สัปดาห์ |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | ไดโอด 200 V 3A ติดบนพื้นผิว DO-214AB (SMC) |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
หมวดหมู่ | กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr 10 µA @ 200 V |
Mfr | ความจุไฟฟ้า @ Vr, F 44pF @ 4V, 1MHz |
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) | เกรด รถยนต์ |
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน | คุณสมบัติ AEC-Q101 |
เทคโนโลยี | ประเภทการติดตั้ง |
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) 200 V | บรรจุภัณฑ์ / เคส |
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io) 3A | บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DO-214AB (SMC) |
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If 1.3 V @ 2.5 A | อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน -55°C ~ 150°C |
ความเร็ว คืนสภาพเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) | หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr) 150 ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | จำนวนที่มีอยู่ | หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | ราคาต่อหน่วย | ประเภทสินค้าทดแทน |
|---|---|---|---|---|---|
| RS3D-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2,940 | RS3D-E3/57TGICT-ND | ฿33.95000 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| RS3D-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3D-E3/9AT-ND | ฿7.55885 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| RS3D-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3D-M3/57T-ND | ฿8.43908 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| RS3D-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3D-M3/9AT-ND | ฿7.53451 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| RS3DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3DHE3_A/I-ND | ฿9.25506 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 1,700 | ฿10.10845 | ฿17,184.36 |





