เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
Upgrade
Similar
Similar
Similar
Similar



S3AHE3_A/I | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | S3AHE3_A/I-ND - เทปและม้วน (TR) |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | S3AHE3_A/I |
คำอธิบาย | DIODE STANDARD 50V 3A DO214AB |
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 10 สัปดาห์ |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | ไดโอด 50 V 3A ติดบนพื้นผิว DO-214AB (SMC) |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
หมวดหมู่ | กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr 10 µA @ 50 V |
Mfr | ความจุไฟฟ้า @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz |
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) | เกรด รถยนต์ |
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน | คุณสมบัติ AEC-Q101 |
เทคโนโลยี | ประเภทการติดตั้ง |
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) 50 V | บรรจุภัณฑ์ / เคส |
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io) 3A | บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DO-214AB (SMC) |
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If 1.15 V @ 2.5 A | อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน -55°C ~ 150°C |
ความเร็ว การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io) | หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr) 2.5 µs |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | จำนวนที่มีอยู่ | หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | ราคาต่อหน่วย | ประเภทสินค้าทดแทน |
|---|---|---|---|---|---|
| S3A-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 974 | S3A-E3/57TGICT-ND | ฿24.57000 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| S3A-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3A-E3/9AT-ND | ฿5.19820 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| S3A-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3A-M3/57T-ND | ฿6.46249 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| S3A-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3A-M3/9AT-ND | ฿5.74085 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| S3AHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3AHE3_A/H-ND | ฿7.58614 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 3,500 | ฿6.90911 | ฿24,181.89 |
| 7,000 | ฿6.36458 | ฿44,552.06 |
| 10,500 | ฿6.08718 | ฿63,915.39 |
| 17,500 | ฿5.77547 | ฿101,070.73 |
| 24,500 | ฿5.61734 | ฿137,624.83 |





