เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก



S3B-M3/57T | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | S3B-M3/57T-ND - เทปและม้วน (TR) |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | S3B-M3/57T |
คำอธิบาย | DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB |
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 10 สัปดาห์ |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | ไดโอด 100 V 3A ติดบนพื้นผิว DO-214AB (SMC) |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
หมวดหมู่ | เวลาการกลับคืนสภาพ (trr) 2.5 µs |
Mfr | กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr 10 µA @ 100 V |
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) | ความจุไฟฟ้า @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz |
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน | ประเภทการติดตั้ง |
เทคโนโลยี | บรรจุภัณฑ์ / เคส |
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) 100 V | บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DO-214AB (SMC) |
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io) 3A | อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน -55°C ~ 150°C |
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If 1.15 V @ 2.5 A | หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
ความเร็ว การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | จำนวนที่มีอยู่ | หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | ราคาต่อหน่วย | ประเภทสินค้าทดแทน |
|---|---|---|---|---|---|
| S3B-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1,483 | S3B-E3/57TGICT-ND | ฿24.57000 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| S3B-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3B-E3/9AT-ND | ฿5.19820 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| S3B-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3B-M3/9AT-ND | ฿5.74085 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| S3BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1,130 | S3BHE3_A/HGICT-ND | ฿31.36000 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| S3BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3BHE3_A/I-ND | ฿6.90911 | เทียบเท่าพาราเมตริก |
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 7,650 | ฿6.46249 | ฿49,438.05 |


