Name: VS-3C10ET12S2L-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND
Price: 214.35 THB
Availability: InStock

ไดโอด 1200 V 10A ติดบนพื้นผิว TO-263AB (D2PAK)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

VS-3C10ET12S2L-M3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 112-VS-3C10ET12S2L-M3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 112-VS-3C10ET12S2L-M3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	VS-3C10ET12S2L-M3
คำอธิบาย	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO263AB
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	15 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ไดโอด 1200 V 10A ติดบนพื้นผิว TO-263AB (D2PAK)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
เทคโนโลยี	SiC (Silicon Carbide) Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io)	10A
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If	1.5 V @ 10 A
ความเร็ว	เวลาการฟื้นตัวเป็นศูนย์ > 500mA (Io)
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr)	0 ns
กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	60 µA @ 1200 V
ความจุไฟฟ้า @ Vr, F	38pF @ 800V, 1MHz
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-263AB (D2PAK)
อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน	-55°C ~ 175°C