Name: VS-4C05ET12S2LHM3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-4C05ET12S2LHM3TR-ND
Price: 146.13 THB
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

ไดโอด 1200 V 5A ติดบนพื้นผิว TO-263AB (D2PAK)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

VS-4C05ET12S2LHM3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	112-VS-4C05ET12S2LHM3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 112-VS-4C05ET12S2LHM3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 112-VS-4C05ET12S2LHM3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	VS-4C05ET12S2LHM3
คำอธิบาย	RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 1200
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	31 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ไดโอด 1200 V 5A ติดบนพื้นผิว TO-263AB (D2PAK)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	เวลาการกลับคืนสภาพ (trr) 0 ns
Mfr Vishay General Semiconductor - Diodes Division	กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr 80 µA @ 1200 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้า @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี SiC (Silicon Carbide) Schottky	คุณสมบัติ AEC-Q101
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) 1200 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io) 5A	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If 1.6 V @ 5 A	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-263AB (D2PAK)
ความเร็ว เวลาการฟื้นตัวเป็นศูนย์ > 500mA (Io)	อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน -55°C ~ 175°C

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (1)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
VS-4C05ET12S2L-M3	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	734	112-VS-4C05ET12S2L-M3CT-ND	฿132.23000	เทียบเท่าพาราเมตริก