VS-50MT060WHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

VS-50MT060WHTAPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	VS-50MT060WHTAPBF-ND
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	VS-50MT060WHTAPBF
คำอธิบาย	IGBT MODULE 600V 114A 658W MTP
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	โมดูล igbt ฮาฟบริดจ์ 600 V 114 A 658 W ติดตั้งบนแชสซี MTP

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT IGBT โมดูล
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ถาด
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท IGBT	-
การตั้งค่า	ฮาฟบริดจ์
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	600 V
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	114 A
พลังงาน - สูงสุด	658 W
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 100A
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	400 µA
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Cies) @ Vce	7.1 nF @ 30 V
อินพุต	มาตรฐาน
NTC เทอร์มิสเตอร์	ไม่
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดตั้งบนแชสซี
บรรจุภัณฑ์ / เคส	โมดูล 12-MTP
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	MTP
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	50MT060