VS-ENQ030L120S Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

VS-ENQ030L120S
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	VS-ENQ030L120SGI-ND
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	VS-ENQ030L120S
คำอธิบาย	IGBT MODULE 1200V 61A EMIPAK-1B
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	โมดูล igbt ถาด อินเวอร์เตอร์สามระดับ 1200 V 61 A 216 W ติดตั้งบนแชสซี EMIPAK-1B
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT IGBT โมดูล
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	จำนวนมาก
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท IGBT	ถาด
การตั้งค่า	อินเวอร์เตอร์สามระดับ
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	61 A
พลังงาน - สูงสุด	216 W
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.52V @ 15V, 30A
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	230 µA
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Cies) @ Vce	3.34 nF @ 30 V
อินพุต	มาตรฐาน
NTC เทอร์มิสเตอร์	ใช่
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดตั้งบนแชสซี
บรรจุภัณฑ์ / เคส	EMIPAK-1B
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	EMIPAK-1B
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	ENQ030