VS-ETF150Y65U Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

VS-ETF150Y65U
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	VS-ETF150Y65U-ND
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	VS-ETF150Y65U
คำอธิบาย	IGBT MODULE 650V 142A EMIPAK-2B
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	โมดูล igbt ถาด อินเวอร์เตอร์สามระดับ 650 V 142 A 417 W ติดตั้งบนแชสซี EMIPAK-2B
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT IGBT โมดูล
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ถาด
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท IGBT	ถาด
การตั้งค่า	อินเวอร์เตอร์สามระดับ
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	650 V
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	142 A
พลังงาน - สูงสุด	417 W
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.06V @ 15V, 100A
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	100 µA
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Cies) @ Vce	6.6 nF @ 30 V
อินพุต	มาตรฐาน
NTC เทอร์มิสเตอร์	ไม่
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดตั้งบนแชสซี
บรรจุภัณฑ์ / เคส	EMIPAK-2B
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	EMIPAK-2B
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	ETF150