2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) ติดบนพื้นผิว TO-236

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

2N7002E-T1-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2N7002E-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 2N7002E-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 2N7002E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	2N7002E-T1-GE3
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) ติดบนพื้นผิว TO-236
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 21 pF @ 5 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 350mW (Ta)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 240mA (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-236
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 3Ohm @ 250mA, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน 2N7002

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (6)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
2N7002K-T1-GE3	Vishay Siliconix	459,012	2N7002K-T1-GE3CT-ND	฿10.09000	MFR ที่แนะนำ
2N7002ET1G	onsemi	345,006	2N7002ET1GOSCT-ND	฿7.16000	Similar
BSN20BKR	Nexperia USA Inc.	93,860	1727-2341-1-ND	฿8.14000	Similar
BSS138NH6433XTMA1	Infineon Technologies	536	BSS138NH6433XTMA1CT-ND	฿12.69000	Similar
DMN65D8LQ-7	Diodes Incorporated	1,324	DMN65D8LQ-7DICT-ND	฿6.84000	Similar