Name: IRF740STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF740STRLPBFTR-ND
Price: 130.29 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 400 V 10A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRF740STRLPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRF740STRLPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRF740STRLPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRF740STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRF740STRLPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	17 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 400 V 10A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 63 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1400 pF @ 25 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 400 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 10A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-263 (D2PAK)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IRF740