N-ช่องสัญญาณ 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
N-ช่องสัญญาณ 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRFBE30STRLPBF

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
IRFBE30STRLPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR)
IRFBE30STRLPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT)
IRFBE30STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต
Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
IRFBE30STRLPBF
คำอธิบาย
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
22 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
Vishay Siliconix
ชุด
-
บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
เทปตัดขาย (CT)
Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
ประเภท FET
N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี
MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
800 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1300 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
TO-263 (D2PAK)
บรรจุภัณฑ์ / เคส
TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IRFBE30
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

ในสต็อก: 335
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
จำนวน
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
เทปตัดขาย (CT) & Digi-Reel®
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿146.78000฿146.78
10฿96.92500฿969.25
100฿68.64950฿6,864.95
* คำสั่งซื้อ Digi-Reel ทั้งหมดจะเพิ่ม ฿230.00 เป็นค่าธรรมเนียมการม้วน
เทปและม้วน (TR)
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
800฿53.88684฿43,109.47
1,600฿51.93006฿83,088.10
แพ็กเกจมาตรฐานผู้ผลิต