Name: IRFL014TRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFL014PBFTR-ND
Price: 80.83 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 2.7A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) ติดบนพื้นผิว SOT-223

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRFL014TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRFL014PBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRFL014PBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRFL014PBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRFL014TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	32 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 2.7A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) ติดบนพื้นผิว SOT-223
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 11 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 300 pF @ 25 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 2.7A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-223
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-261-4, TO-261AA
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IRFL014