Name: IRFR220TRPBF-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-IRFR220TRPBF-BE3TR-ND
Price: 73.07 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 200 V 4.8A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRFR220TRPBF-BE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	742-IRFR220TRPBF-BE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 742-IRFR220TRPBF-BE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 742-IRFR220TRPBF-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRFR220TRPBF-BE3
คำอธิบาย	N-CHANNEL 200V
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	23 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 200 V 4.8A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	4.8A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	800mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	260 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 42W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-252AA
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRFR220