IRLD024PBF Vishay Siliconix | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IRLD024PBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRLD024PBF-ND
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRLD024PBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) ทรูโฮล 4-HVMDIP
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRLD024PBF รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4V, 5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	100mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	18 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	±10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	870 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1.3W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	4-HVMDIP
บรรจุภัณฑ์ / เคส	4-DIP (0.300", 7.62mm)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRLD024