การตั้งค่า
จัดส่งที่รวดเร็ว
จัดส่งฟรี
Incoterms
ประเภทการชำระเงิน
ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์
SI2307BDS-T1-GE3 ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
SI2307BDS-T1-GE3 | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | SI2307BDS-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SI2307BDS-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SI2307BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | SI2307BDS-T1-GE3 |
คำอธิบาย | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | P-ช่องสัญญาณ 30 V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236) |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
|---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
Mfr | ||
ชุด | ||
บรรจุภัณฑ์ | เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel® | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | เลิกผลิต | |
ประเภท FET | ||
เทคโนโลยี | ||
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 30 V | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | ||
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) | 10V | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 3.2A, 10V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 380 pF @ 15 V | |
คุณสมบัติของ FET | - | |
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) | 750mW (Ta) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
เกรด | - | |
คุณสมบัติ | - | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดบนพื้นผิว | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | SOT-23-3 (TO-236) | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส | ||
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
เลิกผลิตแล้ว
