SI2308BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 60 V 1.9A (Ta), 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SI2308BDS-T1-BE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	742-SI2308BDS-T1-BE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 742-SI2308BDS-T1-BE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 742-SI2308BDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SI2308BDS-T1-BE3
คำอธิบาย	N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 1.9A (Ta), 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	1.9A (Ta), 2.3A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	156mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	190 pF @ 30 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-23-3 (TO-236)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3