Name: SI2328DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2328DS-T1-GE3TR-ND
Price: 59.49 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SI2328DS-T1-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SI2328DS-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SI2328DS-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SI2328DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SI2328DS-T1-GE3
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	38 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 1.15A (Ta) 730mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1.5A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA
ชุด TrenchFET®	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 5 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 730mW (Ta)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-23-3 (TO-236)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 1.15A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SI2328