SI3442BDV-T1-E3 Vishay Siliconix | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 20 V 3A (Ta) 860mW (Ta) ติดบนพื้นผิว 6-TSOP

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SI3442BDV-T1-E3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SI3442BDV-T1-E3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SI3442BDV-T1-E3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SI3442BDV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SI3442BDV-T1-E3
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 3A (Ta) 860mW (Ta) ติดบนพื้นผิว 6-TSOP
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SI3442BDV-T1-E3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
ชุด	TrenchFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	3A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	2.5V, 4.5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	57mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.8V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	5 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±12V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	295 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	860mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	6-TSOP
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOT-23-6 บาง, TSOT-23-6
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI3442