SI4425BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET เดี่ยว, MOSFET

P-ช่องสัญญาณ 30 V 8.8A (Ta) 1.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SI4425BDY-T1-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SI4425BDY-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SI4425BDY-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SI4425BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SI4425BDY-T1-GE3
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 8.8A (Ta) 1.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11.4A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
ชุด TrenchFET®	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 100 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 1.5W (Ta)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOIC
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SI4425

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (5)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
AO4407A	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	61,227	785-1022-1-ND	฿40.09000	Similar
FDS6675BZ	onsemi	9,130	FDS6675BZCT-ND	฿45.91000	Similar
NTMS4177PR2G	onsemi	2,757	NTMS4177PR2GCT-ND	฿55.61000	Similar
RRH090P03GZETB	Rohm Semiconductor	1,038	RRH090P03GZETBCT-ND	฿69.19000	Similar
RRH100P03GZETB	Rohm Semiconductor	6,316	RRH100P03GZETBCT-ND	฿83.09000	Similar