Name: SI4431CDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4431CDY-T1-E3TR-ND
Price: 55.61 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 30 V 9A (Tc) 4.2W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SI4431CDY-T1-E3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SI4431CDY-T1-E3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SI4431CDY-T1-E3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SI4431CDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SI4431CDY-T1-E3
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	28 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 9A (Tc) 4.2W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 38 nC @ 10 V
ชุด TrenchFET®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1006 pF @ 15 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 4.2W (Tc)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOIC
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 9A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SI4431
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 32mOhm @ 7A, 10V