SI4808DY-T1-E3 Vishay Siliconix | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SI4808DY-T1-E3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SI4808DY-T1-E3-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SI4808DY-T1-E3
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 30V 5.7A 1.1W ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
ชุด	LITTLE FOOT®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
การตั้งค่า	2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติของ FET	เกทระดับลอจิก
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	5.7A
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	800mV @ 250µA (ต่ำสุด)
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	20nC @ 10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	-
พลังงาน - สูงสุด	1.1W
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SOIC
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI4808