Name: SI4816BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-E3TR-ND
Price: 81.79 THB
Availability: InStock

mosfet อาร์เรย์ 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W ติดบนพื้นผิว 8-SOIC

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SI4816BDY-T1-E3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SI4816BDY-T1-E3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SI4816BDY-T1-E3
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	38 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SI4816BDY-T1-E3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
ผู้ผลิต Vishay Siliconix	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
ชุด LITTLE FOOT®	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 10nC @ 5V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	พลังงาน - สูงสุด 1W, 1.25W
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
การตั้งค่า 2 N-ช่องสัญญาณ (ฮาฟบริดจ์)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
คุณสมบัติของ FET เกทระดับลอจิก	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOIC
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SI4816
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 5.8A, 8.2A