SI4900DY-T1-E3 Vishay Siliconix | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SI4900DY-T1-E3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SI4900DY-T1-E3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SI4900DY-T1-E3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SI4900DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SI4900DY-T1-E3
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 60V 5.3A 3.1W ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SI4900DY-T1-E3 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
ชุด	TrenchFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
การตั้งค่า	2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติของ FET	เกทระดับลอจิก
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	5.3A
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	20nC @ 10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	665pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด	3.1W
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SOIC
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI4900