Name: SI9407BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9407BDY-T1-E3TR-ND
Price: 66.92 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 60 V 4.7A (Tc) 5W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SI9407BDY-T1-E3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SI9407BDY-T1-E3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SI9407BDY-T1-E3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SI9407BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SI9407BDY-T1-E3
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	63 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 60 V 4.7A (Tc) 5W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SI9407BDY-T1-E3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 22 nC @ 10 V
ชุด TrenchFET®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 600 pF @ 30 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 5W (Tc)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOIC
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 4.7A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SI9407
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.2A, 10V