การตั้งค่า
จัดส่งที่รวดเร็ว
จัดส่งฟรี
Incoterms
ประเภทการชำระเงิน
ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์
SI9945BDY-T1-GE3 ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:
MFR ที่แนะนำ
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
SI9945BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | SI9945BDY-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SI9945BDY-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SI9945BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | SI9945BDY-T1-GE3 |
คำอธิบาย | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | mosfet อาร์เรย์ 60V 5.3A 3.1W ติดบนพื้นผิว 8-SOIC |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
|---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | |
ชุด | ||
บรรจุภัณฑ์ | เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel® | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | เลิกผลิต | |
เทคโนโลยี | MOSFET (ออกไซด์โลหะ) | |
การตั้งค่า | 2 N-ช่องสัญญาณ (คู่) | |
คุณสมบัติของ FET | เกทระดับลอจิก | |
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 60V | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | 5.3A | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.3A, 10V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20nC @ 10V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 665pF @ 15V | |
พลังงาน - สูงสุด | 3.1W | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดบนพื้นผิว | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส | 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm) | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | 8-SOIC | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
เลิกผลิตแล้ว
คุณอาจสนใจดูทั้งหมด
10 รายการ
