Name: SIDR510EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND
Price: 140.29 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 33A (Ta), 148A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8DC

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SIDR510EP-T1-RE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 742-SIDR510EP-T1-RE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 742-SIDR510EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SIDR510EP-T1-RE3
คำอธิบาย	N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	55 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 33A (Ta), 148A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8DC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SIDR510EP-T1-RE3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA
ชุด TrenchFET® Gen V	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 81 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4980 pF @ 50 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 33A (Ta), 148A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PowerPAK® SO-8DC
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 7.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส PowerPAK® SO-8