Name: SIDR626LEP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR626LEP-T1-RE3TR-ND
Price: 166.33 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 48.7A (Ta), 218A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8DC

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SIDR626LEP-T1-RE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	742-SIDR626LEP-T1-RE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 742-SIDR626LEP-T1-RE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 742-SIDR626LEP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SIDR626LEP-T1-RE3
คำอธิบาย	N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	55 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 48.7A (Ta), 218A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8DC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 20A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 250µA
ชุด TrenchFET® Gen IV	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 135 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 5900 pF @ 30 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 48.7A (Ta), 218A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PowerPAK® SO-8DC
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส PowerPAK® SO-8