Name: SIHB105N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHB105N60EF-GE3-ND
Price: 165.21 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SIHB105N60EF-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	742-SIHB105N60EF-GE3-ND
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SIHB105N60EF-GE3
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	28 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 53 nC @ 10 V
ชุด EF	Vgs (สูงสุด) ±30V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1804 pF @ 100 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 208W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 600 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-263 (D2PAK)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 29A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SIHB105
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 102mOhm @ 13A, 10V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ในสต็อก: 3,990

ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม

จำนวน

ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB

ท่อ

จำนวน	ราคาต่อหน่วย	ต่อราคา
1	฿165.21000	฿165.21
50	฿85.46760	฿4,273.38
100	฿77.75370	฿7,775.37
500	฿64.23972	฿32,119.86
1,000	฿59.90070	฿59,900.70
2,000	฿56.25436	฿112,508.72
5,000	฿55.64801	฿278,240.05