การตั้งค่า
จัดส่งที่รวดเร็ว
จัดส่งฟรี
Incoterms
ประเภทการชำระเงิน
ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์
SIHB12N60ET1-GE3 มีจัดจำหน่ายแต่โดยปกติแล้วจะไม่มีสต็อก
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:
เทียบเท่าพาราเมตริก
Similar
Similar
Similar
Similar
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
SIHB12N60ET1-GE3 | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | SIHB12N60ET1-GE3-ND |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | SIHB12N60ET1-GE3 |
คำอธิบาย | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 20 สัปดาห์ |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-ช่องสัญญาณ 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK) |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
|---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
Mfr | ||
ชุด | ||
บรรจุภัณฑ์ | จำนวนมาก | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | ทำงาน | |
ประเภท FET | ||
เทคโนโลยี | ||
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 600 V | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | ||
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) | 10V | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 937 pF @ 100 V | |
คุณสมบัติของ FET | - | |
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) | 147W (Tc) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
เกรด | - | |
คุณสมบัติ | - | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดบนพื้นผิว | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | TO-263 (D2PAK) | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส | ||
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
พร้อมสำหรับการสั่งซื้อ
ตรวจสอบเวลาส่งสินค้า
สินค้านี้ไม่มีอยู่ในสต็อกที่ DigiKey ระยะเวลาการจัดส่งที่แสดงจะใช้กับการจัดส่งจากผู้ผลิตไปยัง DigiKey เมื่อได้รับสินค้า DigiKey จะจัดส่งเพื่อตอบสนองคำสั่งซื้อที่เปิดอยู่
จำนวน
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
จำนวนมาก
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 800 | ฿31.02410 | ฿24,819.28 |
ไทย