การตั้งค่า
จัดส่งที่รวดเร็ว
จัดส่งฟรี
Incoterms
ประเภทการชำระเงิน
ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
SIHB21N60EF-GE3 | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | SIHB21N60EF-GE3-ND |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | SIHB21N60EF-GE3 |
คำอธิบาย | MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB |
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 28 สัปดาห์ |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-ช่องสัญญาณ 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK) |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
|---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
Mfr | ||
ชุด | - | |
บรรจุภัณฑ์ | ท่อ | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | ทำงาน | |
ประเภท FET | ||
เทคโนโลยี | ||
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 600 V | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | ||
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) | 10V | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 176mOhm @ 11A, 10V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 84 nC @ 10 V | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 2030 pF @ 100 V | |
คุณสมบัติของ FET | - | |
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) | 227W (Tc) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
เกรด | - | |
คุณสมบัติ | - | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดบนพื้นผิว | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | TO-263 (D2PAK) | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส | ||
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
ในสต็อก: 30
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
จำนวน
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ท่อ
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 1 | ฿176.52000 | ฿176.52 |
| 50 | ฿91.80420 | ฿4,590.21 |
| 100 | ฿83.62150 | ฿8,362.15 |
| 500 | ฿69.29354 | ฿34,646.77 |
| 1,000 | ฿64.69330 | ฿64,693.30 |
| 2,000 | ฿60.82760 | ฿121,655.20 |
| 5,000 | ฿60.78040 | ฿303,902.00 |
