การตั้งค่า
จัดส่งที่รวดเร็ว
จัดส่งฟรี
Incoterms
ประเภทการชำระเงิน
ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์
SIHB33N60E-GE3 หมดสต็อกและสามารถสั่งจองได้
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
SIHB33N60E-GE3 | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | SIHB33N60E-GE3-ND |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | SIHB33N60E-GE3 |
คำอธิบาย | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 24 สัปดาห์ |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-ช่องสัญญาณ 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK) |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
|---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
Mfr | ||
ชุด | - | |
บรรจุภัณฑ์ | ท่อ | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | ทำงาน | |
ประเภท FET | ||
เทคโนโลยี | ||
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 600 V | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | ||
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) | 10V | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 16.5A, 10V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 3508 pF @ 100 V | |
คุณสมบัติของ FET | - | |
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) | 278W (Tc) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
เกรด | - | |
คุณสมบัติ | - | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดบนพื้นผิว | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | TO-263 (D2PAK) | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส | ||
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
0 ในสต็อก
ตรวจสอบเวลาส่งสินค้า
ขอให้แจ้งสถานะสต็อค
จำนวน
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ท่อ
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 1 | ฿236.01000 | ฿236.01 |
| 10 | ฿159.12800 | ฿1,591.28 |
| 100 | ฿115.59270 | ฿11,559.27 |
| 500 | ฿97.04172 | ฿48,520.86 |
| 1,000 | ฿91.08816 | ฿91,088.16 |
| 2,000 | ฿89.71575 | ฿179,431.50 |
