Name: SIR424DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR424DP-T1-GE3TR-ND
Price: 50.45 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 20 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SIR424DP-T1-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SIR424DP-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SIR424DP-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SIR424DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SIR424DP-T1-GE3
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	38 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SIR424DP-T1-GE3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 35 nC @ 10 V
ชุด TrenchFET®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1250 pF @ 10 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 20 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PowerPAK® SO-8
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 30A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส PowerPAK® SO-8
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SIR424
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V