Name: SIR424DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR424DP-T1-GE3TR-ND
Price: 46.88 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 20 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SIR424DP-T1-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SIR424DP-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SIR424DP-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SIR424DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SIR424DP-T1-GE3
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	49 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SIR424DP-T1-GE3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
ชุด	TrenchFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	30A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1250 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PowerPAK® SO-8
บรรจุภัณฑ์ / เคส	PowerPAK® SO-8
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SIR424