Name: SIR5208DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5208DP-T1-RE3TR-ND
Price: 55.66 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 20 V 48A (Ta), 165A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SIR5208DP-T1-RE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	742-SIR5208DP-T1-RE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 742-SIR5208DP-T1-RE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 742-SIR5208DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SIR5208DP-T1-RE3
คำอธิบาย	N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	19 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 48A (Ta), 165A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 10A, 8V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 1.3V @ 250µA
ชุด TrenchFET® Gen V	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 68 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) +8V, -7V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4100 pF @ 10 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 20 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 48A (Ta), 165A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PowerPAK® SO-8
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 2.5V, 8V	บรรจุภัณฑ์ / เคส PowerPAK® SO-8