Name: SIRB40DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRB40DP-T1-GE3TR-ND
Price: 82.03 THB
Availability: InStock

mosfet อาร์เรย์ 40V 40A (Tc) 46.2W ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8 คู่

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SIRB40DP-T1-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SIRB40DP-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SIRB40DP-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SIRB40DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SIRB40DP-T1-GE3
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	55 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 40V 40A (Tc) 46.2W ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8 คู่
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SIRB40DP-T1-GE3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.4V @ 250µA
ผู้ผลิต Vishay Siliconix	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 45nC @ 4.5V
ชุด TrenchFET®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4290pF @ 20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	พลังงาน - สูงสุด 46.2W
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
การตั้งค่า 2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)	บรรจุภัณฑ์ / เคส PowerPAK® SO-8 คู่
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 40V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PowerPAK® SO-8 คู่
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 40A (Tc)	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SIRB40
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 3.25mOhm @ 10A, 10V