Name: SIS862ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS862ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 50.43 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 15.8A (Ta), 52A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® 1212-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SIS862ADN-T1-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SIS862ADN-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SIS862ADN-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SIS862ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SIS862ADN-T1-GE3
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	55 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 15.8A (Ta), 52A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® 1212-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SIS862ADN-T1-GE3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
ชุด	TrenchFET® Gen IV
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	15.8A (Ta), 52A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	7.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1235 pF @ 30 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.6W (Ta), 39W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PowerPAK® 1212-8
บรรจุภัณฑ์ / เคส	PowerPAK® 1212-8
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SIS862