Name: SIS890ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 49.79 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 7.6A (Ta), 24.7A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® 1212-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SIS890ADN-T1-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 742-SIS890ADN-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 742-SIS890ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SIS890ADN-T1-GE3
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	55 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 7.6A (Ta), 24.7A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® 1212-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	25.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1330 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.6W (Ta), 39W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PowerPAK® 1212-8
บรรจุภัณฑ์ / เคส	PowerPAK® 1212-8
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SIS890