Name: SISS5110DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5110DN-T1-GE3TR-ND
Price: 75.98 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 13.4A (Ta), 46.4A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® 1212-8S

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SISS5110DN-T1-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	742-SISS5110DN-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 742-SISS5110DN-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 742-SISS5110DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SISS5110DN-T1-GE3
คำอธิบาย	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	55 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 13.4A (Ta), 46.4A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® 1212-8S
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
ชุด	TrenchFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	13.4A (Ta), 46.4A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	7.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	8.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±25V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	920 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PowerPAK® 1212-8S
บรรจุภัณฑ์ / เคส	PowerPAK® 1212-8S
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SISS5110