Name: SIZ250DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND
Price: 64.66 THB
Availability: InStock

mosfet อาร์เรย์ 60V 14A (Ta), 38A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PowerPair® (3.3x3.3)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SIZ250DT-T1-GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 742-SIZ250DT-T1-GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SIZ250DT-T1-GE3
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	55 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 60V 14A (Ta), 38A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PowerPair® (3.3x3.3)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SIZ250DT-T1-GE3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.4V @ 250µA
ผู้ผลิต Vishay Siliconix	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 21nC @ 10V
ชุด TrenchFET® Gen IV	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	พลังงาน - สูงสุด 4.3W (Ta), 33W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
การตั้งค่า 2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerWDFN
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-PowerPair® (3.3x3.3)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 14A (Ta), 38A (Tc)	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SIZ250
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V