Name: SQ4920EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4920EY-T1_GE3TR-ND
Price: 82.44 THB
Availability: InStock

mosfet อาร์เรย์ 30V 8A 4.4W ติดบนพื้นผิว 8-SOIC

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SQ4920EY-T1_GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SQ4920EY-T1_GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SQ4920EY-T1_GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SQ4920EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SQ4920EY-T1_GE3
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	23 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 30V 8A 4.4W ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
ชุด	TrenchFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
การตั้งค่า	2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติของ FET	เกทระดับลอจิก
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	8A
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	14.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	30nC @ 10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1465pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด	4.4W
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SOIC
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SQ4920