Name: SQ4949EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4949EY-T1_GE3TR-ND
Price: 80.83 THB
Availability: InStock

mosfet อาร์เรย์ 30V 7.5A (Tc) 3.3W ติดบนพื้นผิว 8-SOIC

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SQ4949EY-T1_GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SQ4949EY-T1_GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SQ4949EY-T1_GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SQ4949EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SQ4949EY-T1_GE3
คำอธิบาย	MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 30V 7.5A (Tc) 3.3W ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 30nC @ 10V
ผู้ผลิต Vishay Siliconix	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1020pF @ 25V
ชุด TrenchFET®	พลังงาน - สูงสุด 3.3W
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
การตั้งค่า 2 P-ช่องสัญญาณ (คู่)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOIC
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.9A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SQ4949
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 250µA