Name: SQJ123ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ123ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 79.86 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 12 V 238A (Tc) 375W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SQJ123ELP-T1_GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	742-SQJ123ELP-T1_GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 742-SQJ123ELP-T1_GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 742-SQJ123ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SQJ123ELP-T1_GE3
คำอธิบาย	AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 12 V 238A (Tc) 375W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SQJ123ELP-T1_GE3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
ชุด	TrenchFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	12 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	238A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	1.8V, 4.5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	180 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±8V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	11680 pF @ 6 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	375W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PowerPAK® SO-8
บรรจุภัณฑ์ / เคส	PowerPAK® SO-8