Name: SQJ409EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ409EP-T1_BE3TR-ND
Price: 70.48 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 40 V 60A (Tc) 68W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SQJ409EP-T1_BE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	742-SQJ409EP-T1_BE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 742-SQJ409EP-T1_BE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 742-SQJ409EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SQJ409EP-T1_BE3
คำอธิบาย	P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	23 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 40 V 60A (Tc) 68W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SQJ409EP-T1_BE3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 260 nC @ 10 V
ชุด TrenchFET®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 11000 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 68W (Tc)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 40 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 60A (Tc)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PowerPAK® SO-8
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 7mOhm @ 10A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส PowerPAK® SO-8

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (2)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
SQJ409EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	2,776	SQJ409EP-T1_GE3CT-ND	฿70.48000	เทียบเท่าพาราเมตริก
SQJ409EP-T2_GE3	Vishay Siliconix	39,931	742-SQJ409EP-T2_GE3CT-ND	฿70.48000	เทียบเท่าพาราเมตริก